Quando se trata de velocidade em nossos telefones, há várias coisas que podem afetá-la. Obviamente, o processador e seus núcleos e a velocidade do clock são importantes, assim como a quantidade de RAM que temos. Mas também há armazenamento, onde o armazenamento lento pode resultar em arquivos que demoram mais para serem acessados ou gravados em seu telefone.
Imagine tirar uma foto ou gravar um vídeo apenas para o seu telefone demorar um pouco para salvá-lo, e é por isso que às vezes o tipo de armazenamento importa. Dito isto, o pessoal da Micron anunciou seu mais recente módulo de armazenamento UFS 4.0 para telefones, que eles afirmam ser capaz de oferecer o desempenho mais rápido até agora.
Isso ocorre porque a oferta mais recente da empresa é construída com tecnologia 3D NAND de 232 camadas. Haverá vários tamanhos de armazenamento oferecidos, como 256 GB, 512 GB e 1 TB. Com os modelos de 512 GB e 1 TB, os usuários podem esperar velocidades de leitura sequencial de até 4.300 MB/s e velocidades de gravação de até 4.000 MB/s.
Com o uso dessa tecnologia NAND 3D de 232 camadas, ela não apenas permitirá velocidades de leitura e gravação mais rápidas, mas também será mais eficiente em termos de energia, o que significa que consumirá menos bateria do seu telefone. Espera-se que os módulos de armazenamento mais recentes da Micron entrem em produção em massa no segundo semestre de 2023, embora ainda não se saiba quais marcas os integrarão em seus dispositivos.