Embora a maioria das pessoas conheça a Samsung pela sua vasta seleção de smartphones e eletrônicos Galaxy, o fabricante sul-coreano também investe considerável em pesquisa e desenvolvimento em outras linhas de produtos. Como tal, a empresa anunciou recentemente que iniciou a produção em massa de sua célula de nível triplo (TLC) de um terabit (Tb) de 9ª geração NAND vertical (V-NAND).
Com isso em mente, a Samsung afirma que melhorou a densidade de bits do V-NAND de 9ª geração em cerca de 50% em comparação com o V-NAND de 8ª geração. Isto inclui novas melhorias que reduzem a interferência celular e melhoram a extensão da vida celular, para citar alguns.
A empresa acrescenta que seu V-NAND de 9ª geração está equipado com interface flash NAND de próxima geração, apelidada de “Toggle 5.1”. Isso suporta velocidades de entrada/saída de dados aumentadas em 33%, até 3,2 gigabits por segundo (Gbps). A Samsung também planeja expandir o suporte para PCIe 5.0. No consumo de energia, há uma melhoria de 10% com avanços no design de baixo consumo de energia, em comparação com os modelos anteriores.
A Samsung afirma que iniciou a produção em massa do V-NAND de 9ª geração TLC de 1 TB este mês, que será seguido pelo modelo de célula de nível quádruplo (QLC) no segundo semestre de 2024.
Fonte: Samsung